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AH660产品亮点

8CH高端SSD产品
采用新一代SM2264主控
提供特性化定制服务，实现多模式多场景优化
支持E2E路径保护、2WL RAID等高可靠特性

高效传输，载入更快

顺序读取速度最高可达7100 MB/s^*，顺序写入速度最高可达5500 MB/s^*
业务运行更流畅，游戏加载更快
* 适用于1TB容量点，详见规格参数

支持E2E路径保护、L2 PLP功能、SLC性能的静态和动态写、2WL RAID等多种可靠性算法与特性
提供持久的可靠性能

支持低温功耗L1.2功能，功耗小于5mW，可大幅提升终端设备的续航时间

规格参数

型号	AH660
形状	M.2 2280-S3-M
容量	512GB	1TB
顺序读取	7100MB/s	7100MB/s
顺序写入	4400MB/s	5500MB/s
随机读取IOPS（4KB）	820K	850K
随机写入IOPS（4KB）	680K	700K
TLC顺序写入	890MB/s	1850MB/s
TLC随机写入IOPS（4KB）	235K	355K
尺寸	长80±0.15mm 宽22±0.15mm 高2.38mm（最大）
重量	最大8g
功耗	L1.2：<5mW 空闲：<60mW 工作：<180mW
总线接口	PCIe Gen 4*4
NVMe标准	NVMe 1.4
温度	工作：0℃~70℃ 非工作：-40℃~85℃ Note: Measured by SMART Temperature and proper airflow recommended.
湿度	5%~95%，无冷凝
平均无故障工作时间	200万小时
冲击	工作：半正弦波，1000G@1ms，6面非工作：半正弦波，1500G@0.5ms，6面
振动	工作：随机振动，5Grms，2~2000Hz，3轴非工作：随机振动，7Grms, 2~500Hz，3轴
供电电压	3.3V±5%
纹波/噪声	≤100mV