UH810a/UH830a产品亮点

支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4标准协议
存储容量高达 7.68TB(U.2),专为高可用系统设计
采用12nm自研控制器,先进的制程工艺,性能更高而功耗、成本更低
基于智能多流技术,将热数据流与冷数据流分层存储,提高ESSD的性能与使用寿命并降低成本
顺序读写性能7000/4200 MB/s,随机读写性能1600K/300K IOPS
超低延迟和高质量服务(QoS)
卓越的企业级可靠性:闪存RAID、端到端数据路径保护、高级ECC、安全擦除、电源损失保护


卓越性能

支持PCIe Gen 4高速接口,采用忆联自研主控和固件。其中,主控在关键数据路径设置了多个硬件加速模块,顺序读写性能7000/4200 MB/s,随机读写性能1600K/300K IOPS,平均读写时延仅96/14 μs,读写延迟、QoS等性能均处于行业领先水平。

极致体验

采用多种智能算法,支持可变扇区、多流、原子写、QoS等增强特性,动态、静态结合磨损平衡算法有效延长硬盘寿命,双重固件备份升级机制和掉电保护机制为客户核心数据保驾护航。

易于维护

支持1s固件升级在线激活,无需重新上下电。
支持通知热插拔、暴力热插拔,支持行业主流开源工具。


规格参数


型号

UH810a

UH830a

闪存介质

3D eTLC

容量

1.92TB

3.84TB

7.68TB

1.6TB

3.2TB

6.4TB

顺序读取(128KB

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

顺序写入(128KB

2500MB/s

3800MB/s

3800MB/s

2700MB/s

4200MB/s

4200MB/s

随机读取IOPS4KB

1300K

1600K

1600K

1500K

1660K

1660K

随机写入IOPS4KB

100K

150K

150K

300K

300K

300K

数据写入总量

3.50PB

7.01PB

14.02PB

8.76PB

17.52PB

35.04PB

基本功能

平均读取时延(4KB

96μs

96μs

平均写入时延(4KB

17μs

14μs

耐用等级(4K随机)

1 DWPD

3 DWPD

功耗(静态/最大)

8.5W/21W

形态

U.2

扇区大小

支持512/512+8/4096/4096+8/4096+64扇区

掉电保护

支持

产品升级

支持通过NVMe命令

可靠性

不可修复错误率

e10-17

平均无故障工作时间

200万小时

年失效率

0.44%

数据保留(电源关闭)

40℃,大于3个月

质保期限

5年(不超过数据写入总量)

标准

接口协议

PCIe Gen 4*4NVMe 1.4SP*4

TRIM

支持

环境参数

存储温度

-40℃~85

工作温度

0~78

湿度

5%~95%相对湿度,无冷凝

海拔

工作:-305~3048

非工作:-305~12192

振动

工作:2.17千兆赫(5 ~ 700赫兹)

存储:3.13千兆赫(5 ~ 800赫兹)

冲击

1000G@0.5ms(半正弦波)

供电

DC 12V+/-10%

冲击电流(最大值)

<3A@1s

外观

尺寸

2.5英寸

重量

<350g





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