2022年，全球闪存市场面临新一轮的变革。一方面，NAND厂商供应能力持续增长，主要厂商的供应能力节节攀升，但其增速已出现分化，随着行业整合不断加速，市场竞争格局将有较大调整。另一方面，在新基建、中国制造2025、自主可控等国家政策推动下，中国区闪存市场快速增长，同时中美贸易摩擦与技术脱钩风险加剧，建立国内自主可控的闪存供应链已极为紧迫。

在这种情势下，忆联（Union Memory）于近日发布三款固态硬盘新品，包括UH811a/UH831a系列ESSD，以及AM630、AM521系列CSSD，标志着忆联在企业级、消费级存储市场均取得了新的突破。面对变革期的全球闪存市场，忆联依托自研控制器、固件设计、封装测试等核心技术，持续推出高性能、低延迟、高可靠性且各具差异化竞争力的固态硬盘新品，志在引领固态存储行业新升级。

忆联UH811a/UH831a：采用12nm自研控制器与智能多流技术，顺序读取速度高达7000/4200 MB/s，随机读写速度高达1600K/300K IOPS

忆联UH811a/UH831a系列ESSD支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4标准协议，搭载YMTC 128L 3D eTLC闪存颗粒，顺序读取速度高达7000/4200 MB/s，随机读写速度高达1600K/300K IOPS。同时，其存储容量高达 7.68TB（U.2），专为高可用系统设计，并拥有超低延迟和高质量服务（QoS），平均读写时延低至96/14 μs。

值得一提的是，忆联UH811a/UH831a系列ESSD采用12nm自研控制器，先进的制程工艺，性能更高而功耗、成本更低。而且，基于智能多流技术，将热数据流与冷数据流分层存储，提高ESSD的性能与使用寿命并降低成本。

忆联AM630系列CSSD采用PCIe Gen 4高速接口，是业界首款面向ODM客户的PCIe Gen 4 CSSD。其顺序读写速度高达3200/2400 MB/s，随机读写速度高达420K/340K IOPS，满足个人电脑、服务器、工业级个人电脑等应用需求。同时，其拥有M.2.2242与M.2.2280两种规格，容量高达1TB，L1.2功耗小于3mW，空闲功耗小于50mW，工作功耗小于150mW，显著提升设备续航时间。

忆联AM521系列CSSD采用PCIe接口，顺序读写速度高达2100/900 MB/s、SLC随机读写速度高达156K/174K IOPS、TLC随机读写速度高达90K/39K IOPS。同时，其拥有128GB、256GB两种容量，重量最大仅3.5g，工作功耗小于4W，是各类追求高性价比应用的绝佳选择。

目前，忆联UH811a/UH831a系列ESSD，以及AM630、AM521系列CSSD均已实现量产。随着这三大更具竞争力的新品推出，忆联将为服务器、数据中心、个人电脑等应用提供更高性能、更低延迟、更高可靠性的解决方案，助力互联网、信创行业、消费电子客户实现商业成功。