支持UFS 3.1高速协议
支持Write Booster功能,有效提升写入性能
支持HPB功能,充分利用Host的内存提升读写速度
支持Deep Sleep、Performance Throttling Notification特性
低功耗、高性能,是追求极致性能功耗比设备的理想存储解决方案
采用UFS 3.1 HS-Gear4 2 Lane高速接口,支持Write Booster、HPB等最新Features,实测顺序读取速度1800MB/s,带给移动设备流畅的使用体验。
得益于主控的先进制程和固件优化,RM740可在保持同等性能的前提下实现比竞品更低的工作功耗。同时,通过支持Deep Sleep特性,RM740可根据Loading情况进入多种状态的深度睡眠,并保持对Host的快速响应,从而最大限度降低系统功耗。
秉承忆联一贯的高可靠性产品设计理念,RM740从方案论证、封装、固件到后期贴片都进行了严苛的可靠性测试。这些可靠性测试不仅覆盖电气、协议、温度、应力、封装等各方面,更贯穿于产品的整个生命周期,严谨、完善的质量保障体系为RM740的可靠性保驾护航。
产品名称 |
RM740 |
|
容量 |
128GB |
256GB |
产品型号 |
RUGMGTB128QBB |
RUGMGTB256OBB |
接口 |
UFS 3.1 |
UFS 3.1 |
顺序读取 |
1700MB/s |
1800MB/s |
顺序写入 |
500MB/s |
700MB/s |
随机读取 |
70K IOPS |
75K IOPS |
随机写入 |
66K IOPS |
115K IOPS |
时钟模式 |
HS-Gear4 |
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工作电压 |
VCC:3.3V;VCCQ:1.2V |
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工作温度 |
-25℃~85℃ |
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存储温度 |
-40℃~85℃ |
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封装形态 |
BGA 153Ball, 11.5mm*13.0mm*1.0mm |