RM740产品亮点

支持UFS 3.1高速协议
支持Write Booster功能,有效提升写入性能
支持HPB功能,充分利用Host的内存提升读写速度
支持Deep Sleep、Performance Throttling Notification特性
低功耗、高性能,是追求极致性能功耗比设备的理想存储解决方案

高性能

采用UFS 3.1 HS-Gear4 2 Lane高速接口,支持Write Booster、HPB等最新Features,实测顺序读取速度1800MB/s,带给移动设备流畅的使用体验。

低功耗

得益于主控的先进制程和固件优化,RM740可在保持同等性能的前提下实现比竞品更低的工作功耗。同时,通过支持Deep Sleep特性,RM740可根据Loading情况进入多种状态的深度睡眠,并保持对Host的快速响应,从而最大限度降低系统功耗。

高可靠性

秉承忆联一贯的高可靠性产品设计理念,RM740从方案论证、封装、固件到后期贴片都进行了严苛的可靠性测试。这些可靠性测试不仅覆盖电气、协议、温度、应力、封装等各方面,更贯穿于产品的整个生命周期,严谨、完善的质量保障体系为RM740的可靠性保驾护航。

规格参数

产品名称

RM740

容量

128GB

256GB

产品型号

RUGMGTB128QBB

RUGMGTB256OBB

接口

UFS 3.1

UFS 3.1

顺序读取

1700MB/s

1800MB/s

顺序写入

500MB/s

700MB/s

随机读取

70K IOPS

75K IOPS

随机写入

66K IOPS

115K IOPS

时钟模式

HS-Gear4

工作电压

VCC3.3VVCCQ1.2V

工作温度

-25℃~85℃

存储温度

-40℃~85℃

封装形态

BGA 153Ball, 11.5mm*13.0mm*1.0mm


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